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K4FBE3D4HM-THCL

Active - IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Pieza Mfr #

K4FBE3D4HM-THCL

Categoría:

Memoria

Ficha de datos:

K4FBE3D4HM-THCL

Descripción:

IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps

K4FBE3D4HM-THCL Especificación

Atributos del producto

Valor del atributo

Categoría

Memoria

Fabricante

Samsung Semiconductor

Serie

-

Embalaje

Tray

Estado del producto

Active

Tipo de memoria

Volatile

Formato de la memoria

DRAM

Tecnología

LPDDR4

del programa

32 Gb

Organización de la memoria

x32

Interfaz de memoria

Parallel

Frecuencia de reloj

-

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página

-

Tiempo de acceso

-

Voltaje de la fuente

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura de funcionamiento

-40 ~ 105 ℃

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja (carcasa)

200 FBGA

Paquete del dispositivo del proveedor

200 FBGA

K4FBE3D4HM-THCL Inventario: 50

Precio histórico

0

5.0 / 5.0

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

Buen producto y funciona correctamente.

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

Bien recibido, aún no probado

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.

Oscar Alberto Medina

Mexico

2021-11-12 10:55

Muy buen producto, llegó bien protegido

K4FBE3D4HM-THCL

K4FBE3D4HM-THCL Especificación

K4FBE3D4HM-THCL Inventario: 50

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