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K4F2E3S4HA-TFCL

Active - IC DRAM LPDDR4 12 Gb 4266 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Pieza Mfr #

K4F2E3S4HA-TFCL

Categoría:

Memoria

Ficha de datos:

K4F2E3S4HA-TFCL

Descripción:

IC DRAM LPDDR4 12 Gb 4266 Mbps

K4F2E3S4HA-TFCL Especificación

Atributos del producto

Valor del atributo

Categoría

Memoria

Fabricante

Samsung Semiconductor

Serie

-

Embalaje

Tray

Estado del producto

Active

Tipo de memoria

Volatile

Formato de la memoria

DRAM

Tecnología

LPDDR4

del programa

12 Gb

Organización de la memoria

x32

Interfaz de memoria

Parallel

Frecuencia de reloj

-

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página

-

Tiempo de acceso

-

Voltaje de la fuente

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura de funcionamiento

-40 ~ 95 ℃

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja (carcasa)

200 FBGA

Paquete del dispositivo del proveedor

200 FBGA

K4F2E3S4HA-TFCL Inventario: 28950

Precio histórico

0

5.0 / 5.0

Oscar Alberto Medina

Mexico

2021-11-12 10:55

Muy buen producto, llegó bien protegido

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

Recu en 89 días, tira, para probar

Hugo Alberto

Mexico

2021-07-20 19:26

Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Todo bien, ¡gracias!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

Muy bien. Recibido a tiempo

K4F2E3S4HA-TFCL

K4F2E3S4HA-TFCL Especificación

K4F2E3S4HA-TFCL Inventario: 28950

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