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K4F4E3S4HF-GHCJ

Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

Fabricante:

Samsung Semiconductor

Pieza Mfr #

K4F4E3S4HF-GHCJ

Categoría:

Memoria

Ficha de datos:

K4F4E3S4HF-GHCJ

Descripción:

IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

K4F4E3S4HF-GHCJ Especificación

Atributos del producto

Valor del atributo

Categoría

Memoria

Fabricante

Samsung Semiconductor

Serie

-

Embalaje

Tray

Estado del producto

Active

Tipo de memoria

Volatile

Formato de la memoria

DRAM

Tecnología

LPDDR4

del programa

4 Gb

Organización de la memoria

x32

Interfaz de memoria

Parallel

Frecuencia de reloj

-

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página

-

Tiempo de acceso

-

Voltaje de la fuente

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temperatura de funcionamiento

-40 ~ 105 ℃

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja (carcasa)

200 FBGA

Paquete del dispositivo del proveedor

200 FBGA

K4F4E3S4HF-GHCJ Inventario: 4100

Precio histórico

0

5.0 / 5.0

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.

Oscar Alberto Medina

Mexico

2021-11-12 10:55

Muy buen producto, llegó bien protegido

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

Recu en 89 días, tira, para probar

Hugo Alberto

Mexico

2021-07-20 19:26

Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Todo bien, ¡gracias!

K4F4E3S4HF-GHCJ

K4F4E3S4HF-GHCJ Especificación

K4F4E3S4HF-GHCJ Inventario: 4100

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