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K4F4E3S4HF-GUCJ
Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
Fabricante:
Samsung Semiconductor
Pieza Mfr #
K4F4E3S4HF-GUCJ
Categoría:
Memoria
Ficha de datos:
K4F4E3S4HF-GUCJ
Descripción:
IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
K4F4E3S4HF-GUCJ Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Categoría
Memoria
Fabricante
Samsung Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tray
Estado del producto
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de la memoria
DRAM
Tecnología
LPDDR4
del programa
4 Gb
Organización de la memoria
x32
Interfaz de memoria
Parallel
Frecuencia de reloj
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
-
Voltaje de la fuente
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temperatura de funcionamiento
-40 ~ 125 ℃
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
200 FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
200 FBGA
K4F4E3S4HF-GUCJ Inventario: 15950
Precio histórico
0
5.0 / 5.0
Oscar Alberto Medina
Mexico
2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido
Justine Perrin
France
2021-06-10 07:32
Recu en 89 días, tira, para probar
Hugo Alberto
Mexico
2021-07-20 19:26
Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable
Lotte van der Veen
Netherlands
2021-11-23 06:50
Todo bien, ¡gracias!
Hugo
Spain
2021-12-23 03:52
Muy bien. Recibido a tiempo
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