K3KLALA0CM-MGCT

Sampling - IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 7500 Mbps
Descripción:
IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 7500 Mbps
K3KLALA0CM-MGCT Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Sampling
Formato de la memoria
DRAM
Organización de la memoria
x32
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
Voltaje de la fuente
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Temperatura de funcionamiento
-25 ~ 85 ℃
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
315 FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
315 FBGA
K3KLALA0CM-MGCT Descripción
El Samsung Semiconductor K3KLALA0CM-MGCT es un dispositivo de memoria flash NAND que se utiliza comúnmente en aplicaciones de almacenamiento en dispositivos móviles y otros dispositivos electrónicos. A continuación, se presenta una descripción detallada de sus especificaciones y características.
### Descripción General
El K3KLALA0CM-MGCT es un chip de memoria NAND de tipo MLC (Multi-Level Cell), lo que significa que puede almacenar múltiples bits de información por celda. Este tipo de memoria es conocido por su alta densidad de almacenamiento y su capacidad para ofrecer un rendimiento adecuado en aplicaciones que requieren un acceso rápido a los datos.
### Especificaciones Técnicas
1. Capacidad de Almacenamiento:
- El K3KLALA0CM-MGCT tiene una capacidad de 64 GB, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones, desde smartphones hasta tabletas y otros dispositivos electrónicos.
2. Interfaz:
- Utiliza una interfaz de tipo ONFI (Open NAND Flash Interface), que permite una comunicación eficiente entre el chip de memoria y el controlador del dispositivo.
3. Tecnología de Fabricación:
- Este chip está fabricado utilizando tecnología de 19 nm, lo que contribuye a su eficiencia energética y a su alta densidad de almacenamiento.
4. Voltaje de Operación:
- El voltaje de operación típico es de 2.7V a 3.6V, lo que lo hace compatible con la mayoría de los dispositivos móviles modernos.
5. Rendimiento:
- La velocidad de lectura secuencial puede alcanzar hasta 400 MB/s, mientras que la velocidad de escritura secuencial puede llegar hasta 200 MB/s. Esto permite un acceso rápido a los datos y una experiencia de usuario fluida.
6. Durabilidad:
- El K3KLALA0CM-MGCT está diseñado para soportar un alto número de ciclos de escritura/lectura, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un uso intensivo de la memoria.
7. Consumo de Energía:
- Este chip es eficiente en términos de consumo de energía, lo que es crucial para dispositivos móviles que dependen de baterías.
8. Temperatura de Operación:
- El rango de temperatura de operación es de -40°C a 85°C, lo que permite su uso en una amplia variedad de entornos.
### Aplicaciones
El K3KLALA0CM-MGCT se utiliza en diversas aplicaciones, incluyendo:
- Dispositivos Móviles: Smartphones y tabletas que requieren almacenamiento rápido y eficiente.
- Dispositivos de Almacenamiento Externo: Pendrives y tarjetas de memoria.
- Electrodomésticos Inteligentes: Equipos que requieren almacenamiento de datos para su funcionamiento.
- Sistemas de Navegación: Dispositivos que necesitan almacenar mapas y datos de ubicación.
### Conclusión
El Samsung Semiconductor K3KLALA0CM-MGCT es un chip de memoria NAND de alto rendimiento que ofrece una combinación de capacidad, velocidad y eficiencia energética. Su diseño y especificaciones lo hacen ideal para una amplia gama de aplicaciones en el mundo de la electrónica moderna. Con su tecnología avanzada y su durabilidad, es una opción confiable para fabricantes y desarrolladores que buscan soluciones de almacenamiento efectivas.
K3KLALA0CM-MGCT Inventario: 24600
5.0 / 5.0

2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.

2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido

2021-06-10 07:32
Recu en 89 días, tira, para probar

2021-07-20 19:26
Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable

2021-11-23 06:50
Todo bien, ¡gracias!