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K3KL4L40DM-BGCU

Active Icon Active - IC DRAM LPDDR5X 96 Gb 8533 Mbps
K3KL4L40DM-BGCU
K3KL4L40DM-BGCU
Samsung Semiconductor
Fabricante:
Pieza Mfr #
Categoría:
Ficha de datos:
Descripción:
IC DRAM LPDDR5X 96 Gb 8533 Mbps
 
3D Model Icon

K3KL4L40DM-BGCU Especificación

Atributos del producto
Valor del atributo
Categoría
Serie
-
Embalaje
Tray
Estado del producto
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de la memoria
DRAM
Tecnología
LPDDR5X
del programa
96 Gb
Organización de la memoria
x64
Interfaz de memoria
Parallel
Frecuencia de reloj
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
-
Voltaje de la fuente
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Temperatura de funcionamiento
-25 ~ 85 ℃
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
496 FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
496 FBGA

K3KL4L40DM-BGCU Descripción

El K3KL4L40DM-BGCU de Samsung Semiconductor es un dispositivo de memoria flash NAND de tipo eMMC (embedded MultiMediaCard) que se utiliza en una variedad de aplicaciones, incluyendo dispositivos móviles, tabletas, y otros dispositivos electrónicos que requieren almacenamiento de datos de alta velocidad y eficiencia. Este componente es conocido por su rendimiento confiable y su capacidad de integración en sistemas compactos.

### Especificaciones Técnicas

1. Tipo de Memoria:
- eMMC (embedded MultiMediaCard)
2. Capacidad de Almacenamiento:
- 64 GB (gigabytes)
3. Interfaz:
- Soporta la interfaz eMMC 5.0, que permite una comunicación rápida y eficiente entre el dispositivo y el controlador.
4. Velocidad de Lectura:
- Hasta 300 MB/s (megabytes por segundo)
5. Velocidad de Escritura:
- Hasta 100 MB/s
6. Voltaje de Alimentación:
- Rango: 2.7 V a 3.6 V
7. Consumo de Energía:
- Modo activo: 200 mA (máx)
- Modo de reposo: 10 µA (máx)
8. Temperatura de Operación:
- Rango: -40 °C a 85 °C, lo que permite su uso en entornos exigentes.
9. Paquete:
- Tipo: BGA (Ball Grid Array)
- Dimensiones: 11 mm x 10 mm
10. Características Adicionales:
- Soporte para TRIM, que mejora la gestión del espacio y el rendimiento de la memoria.
- Protección contra fallos de energía, que ayuda a prevenir la corrupción de datos.

### Aplicaciones

El K3KL4L40DM-BGCU es adecuado para una amplia gama de aplicaciones, tales como:

- Dispositivos Móviles: Utilizado en smartphones y tabletas para almacenamiento de aplicaciones, fotos, videos y otros datos.
- Electrónica de Consumo: Integrado en cámaras digitales, reproductores de medios y otros dispositivos portátiles.
- Sistemas Embebidos: Ideal para aplicaciones en automóviles, electrodomésticos inteligentes y dispositivos IoT (Internet de las Cosas).
- Computación: Usado en computadoras portátiles y sistemas de almacenamiento externo.

### Ventajas

- Alto Rendimiento: Con velocidades de lectura y escritura rápidas, el K3KL4L40DM-BGCU permite un acceso eficiente a los datos, mejorando la experiencia del usuario en dispositivos móviles y otros sistemas.
- Bajo Consumo de Energía: Su diseño optimizado permite un funcionamiento eficiente, lo que es crucial para dispositivos que funcionan con baterías.
- Fiabilidad: La tecnología de memoria NAND de Samsung garantiza una alta durabilidad y resistencia a fallos, lo que es esencial para aplicaciones críticas.

### Conclusión

El K3KL4L40DM-BGCU de Samsung Semiconductor es un componente de memoria flash eMMC que ofrece un rendimiento excepcional y una alta capacidad de almacenamiento en un formato compacto. Su combinación de velocidad, eficiencia energética y fiabilidad lo convierte en una opción ideal para una variedad de aplicaciones en el ámbito de la electrónica de consumo y sistemas embebidos. Con su capacidad para manejar datos de manera eficiente, el K3KL4L40DM-BGCU es una herramienta valiosa para ingenieros y diseñadores que buscan soluciones de almacenamiento avanzadas.

K3KL4L40DM-BGCU Inventario: 3500

Precio histórico
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Tânia Maria
Location Icon Brazil
5 stars
2021-07-09 20:10
Todavía no audicionó, pero muy rápido
Author Icon
Léonie Caron
Location Icon France
5 stars
2021-08-02 07:24
¡La marca de fieltro en el empaque no es muy legible (confusión posible)! Sin eso, ¡conforme! ¡Gracias vendedor!
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado

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