K3KL6L60GM-MGCT

Sampling - IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
Descripción:
IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
K3KL6L60GM-MGCT Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Sampling
Formato de la memoria
DRAM
Organización de la memoria
x32
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
Voltaje de la fuente
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Temperatura de funcionamiento
-25 ~ 85 ℃
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
315 FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
315 FBGA
K3KL6L60GM-MGCT Descripción
El Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT es un dispositivo de memoria flash NAND que forma parte de la serie de productos de almacenamiento de Samsung. Este componente es ampliamente utilizado en aplicaciones que requieren un almacenamiento de datos eficiente y de alta velocidad, como smartphones, tabletas, dispositivos portátiles y otros sistemas embebidos.
### Especificaciones Técnicas
1. Tipo de Memoria:
- NAND Flash: Utiliza tecnología NAND, que es conocida por su alta densidad de almacenamiento y eficiencia en el manejo de datos.
2. Capacidad:
- Capacidad de Almacenamiento: 64 GB, lo que permite almacenar una gran cantidad de datos, incluyendo aplicaciones, multimedia y archivos de usuario.
3. Interfaz:
- Interfaz de Conexión: Soporta la interfaz ONFI (Open NAND Flash Interface), que permite una comunicación rápida y eficiente entre el dispositivo de memoria y el controlador.
4. Velocidad de Lectura y Escritura:
- Velocidad de Lectura: Hasta 400 MB/s, lo que permite acceder rápidamente a los datos almacenados.
- Velocidad de Escritura: Hasta 200 MB/s, lo que asegura una escritura eficiente de datos, ideal para aplicaciones que requieren un alto rendimiento.
5. Tecnología de Celdas:
- 3D NAND: Utiliza tecnología de celdas 3D, que apila múltiples capas de celdas de memoria, aumentando la densidad y mejorando la eficiencia energética.
6. Consumo de Energía:
- Diseñado para un bajo consumo de energía, lo que es crucial para dispositivos móviles y portátiles que dependen de la duración de la batería.
7. Durabilidad y Fiabilidad:
- Ciclos de Programación/Borrado: Soporta un alto número de ciclos de programación y borrado, lo que aumenta la vida útil del dispositivo.
- Corrección de Errores: Incorpora algoritmos de corrección de errores (ECC) para garantizar la integridad de los datos almacenados.
8. Temperatura de Operación:
- Rango de temperatura de operación de -40 °C a 85 °C, lo que permite su uso en entornos exigentes y en diversas aplicaciones industriales.
9. Paquete:
- Disponible en un paquete BGA (Ball Grid Array), que facilita la integración en diseños de circuitos impresos compactos.
### Aplicaciones
El K3KL6L60GM-MGCT es ideal para una variedad de aplicaciones, tales como:
- Dispositivos Móviles: Utilizado en smartphones y tabletas para almacenamiento de aplicaciones y multimedia.
- Sistemas Embebidos: Perfecto para dispositivos que requieren almacenamiento confiable y de alta velocidad.
- Electrodomésticos Inteligentes: Empleado en electrodomésticos conectados que requieren almacenamiento de datos.
- Automóviles: Usado en sistemas de infoentretenimiento y navegación en vehículos modernos.
### Conclusión
El Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT es un componente de memoria flash NAND de alto rendimiento que ofrece una combinación de capacidad, velocidad y eficiencia energética. Su tecnología avanzada y características robustas lo convierten en una opción excelente para desarrolladores y fabricantes que buscan soluciones de almacenamiento confiables y eficientes en una amplia gama de aplicaciones.
K3KL6L60GM-MGCT Inventario: 39050
5.0 / 5.0

2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.

2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado

2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.

2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.

2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido