2N7002

Active - MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
2N7002 Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
115mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
50 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002 Descripción
El 2N7002 es un transistor de efecto de campo (FET) de canal N, fabricado por STMicroelectronics. Este dispositivo es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos. A continuación, se presenta una descripción detallada de sus especificaciones y características.
### Descripción General
El 2N7002 es un transistor FET de canal N que se caracteriza por su alta velocidad de conmutación y su capacidad para manejar corrientes moderadas. Este dispositivo es ideal para aplicaciones en las que se requiere un control eficiente de la corriente y la tensión, como en circuitos de conmutación, control de motores y amplificadores de señal.
### Especificaciones Técnicas
1. Tipo de Transistor: FET de canal N
2. Tensión de Drenaje-Fuente (V_DS):
- Máxima: 60 V
3. Corriente de Drenaje (I_D):
- Máxima: 200 mA
4. Tensión de Puerta-Fuente (V_GS):
- Máxima: ±20 V
5. Resistencia de Drenaje (R_DS(on)):
- Típica: 0.5 Ω a V_GS = 10 V
6. Capacitancia de Entrada (C_iss):
- Típica: 60 pF
7. Capacitancia de Salida (C_oss):
- Típica: 20 pF
8. Temperatura de Operación:
- Desde -55 °C hasta +150 °C
9. Paquete: TO-92
### Características Destacadas
- Alta Velocidad de Conmutación: El 2N7002 es capaz de conmutar rápidamente, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un control preciso de la señal.
- Bajo Consumo de Potencia: Su diseño eficiente permite un bajo consumo de energía, lo que es crucial en aplicaciones portátiles y de bajo consumo.
- Facilidad de Uso: Este transistor es fácil de integrar en circuitos, gracias a su configuración simple y a su disponibilidad en paquetes estándar.
- Amplio Rango de Temperatura: Su capacidad para operar en un amplio rango de temperaturas lo hace adecuado para aplicaciones en entornos exigentes.
### Aplicaciones Comunes
- Conmutación de cargas en circuitos de control.
- Amplificadores de señal en aplicaciones de audio y RF.
- Control de motores en sistemas de automatización.
- Interfaz de señales en microcontroladores y circuitos digitales.
- Aplicaciones de conmutación en fuentes de alimentación.
### Conclusión
El 2N7002 de STMicroelectronics es un transistor FET de canal N que ofrece un rendimiento confiable y eficiente en una variedad de aplicaciones electrónicas. Su alta velocidad de conmutación, bajo consumo de energía y facilidad de uso lo convierten en una opción popular entre ingenieros y diseñadores de circuitos. Con su robustez y versatilidad, el 2N7002 es una solución ideal para proyectos que requieren un control preciso de la corriente y la tensión.
2N7002 Inventario: 38450
5.0 / 5.0

2021-12-30 07:56
Excelente producto de buena calidad llegó muy bueno y rápido

2021-08-07 08:03
Todos los transitores IGBT recibidos son de buena calidad.

2021-06-07 13:12
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2021-07-13 07:14
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2021-08-16 16:24
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