2N7000

El 2N7000 es un transistor de efecto de campo (FET) de canal N fabricado por STMicroelectronics, ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación y amplificación. Este dispositivo es conocido por su facilidad de uso y su capacidad para manejar cargas moderadas, lo que lo convierte en una opción popular en circuitos electrónicos.

### Especificaciones Técnicas

1. Tipo de Transistor: Transistor de Efecto de Campo (FET) de Canal N
2. Número de Parte: 2N7000
3. Voltaje de Drenaje a Fuente (VDS): 60 V (máximo)
4. Corriente de Drenaje (ID): 200 mA (máximo)
5. Voltaje de Puerta a Fuente (VGS): ±20 V (máximo)
6. Potencia de Disipación (PD): 400 mW (máximo)
7. Temperatura de Funcionamiento: -55°C a +150°C
8. Encapsulado: TO-92
9. Transconductancia (gfs): Aproximadamente 1.5 mS (a VGS = 10 V)
10. Capacitancia de Entrada (Ciss): Aproximadamente 60 pF (a VDS = 25 V)

### Características

- Bajo Voltaje de Umbral (VGS(th)): El 2N7000 tiene un voltaje de umbral bajo, lo que significa que se activa con un voltaje relativamente bajo en la puerta, facilitando su uso en circuitos de bajo voltaje.
- Alta Velocidad de Conmutación: Este transistor es capaz de conmutar rápidamente, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
- Robustez: El 2N7000 es conocido por su durabilidad y fiabilidad en diversas condiciones de operación.

### Aplicaciones Comunes

- Conmutación de Cargas: Se utiliza para controlar cargas como relés, motores pequeños y luces LED.
- Amplificadores: Puede ser utilizado en etapas de amplificación en circuitos analógicos.
- Circuitos de Control: Ideal para aplicaciones de control en sistemas digitales y microcontroladores.
- Interfaz de Señal: Se utiliza para adaptar niveles de señal entre diferentes partes de un circuito.

### Consideraciones de Diseño

Al diseñar un circuito que utilice el 2N7000, es importante considerar la corriente máxima que el transistor puede manejar y asegurarse de que no se exceda el voltaje de drenaje a fuente. Además, se debe tener en cuenta la disipación de potencia para evitar el sobrecalentamiento del dispositivo. Es recomendable utilizar resistencias de puerta para limitar la corriente y proteger el transistor.

### Conclusión

El 2N7000 de STMicroelectronics es un transistor FET de canal N versátil y confiable, ideal para una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Su bajo voltaje de umbral, alta velocidad de conmutación y robustez lo convierten en una opción popular entre ingenieros y diseñadores de circuitos. Su facilidad de uso y disponibilidad lo hacen un componente esencial en muchos proyectos electrónicos.