2N7000-G

Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000-G Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
200mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
60 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000-G Inventario: 22550
5.0 / 5.0

2021-12-30 07:56
Excelente producto de buena calidad llegó muy bueno y rápido

2021-08-07 08:03
Todos los transitores IGBT recibidos son de buena calidad.

2021-06-07 13:12
Recibí el producto, todo bien, súper satisfecho.

2021-07-13 07:14
¡Envío rápido, bien embalado! Este es el primer vendedor que ha protegido adecuadamente los sensores de corriente con un poco de espuma. ¡Estrellas extra para esta tienda, recomendable!

2021-08-16 16:24
Entrega excelente, rápida y segura