WAS530M12BM3
Active - SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
Descripción:
SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
WAS530M12BM3 Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Active
Tecnología
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuración
Silicon Carbide (SiC)
Característica de FET
1200V (1.2kV)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
630A (Tc)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
3.47mOhm @ 530A, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.6V @ 127mA
Vgs(th) (máx) a Id
1362nC @ 15V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38900pF @ 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Chassis Mount
Paquete / Caja (carcasa)
-
Paquete del dispositivo del proveedor
-
WAS530M12BM3 Inventario: 6440
5.0 / 5.0
2021-06-10 07:32
Recu en 89 días, tira, para probar
2021-07-20 19:26
Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable
2021-11-23 06:50
Todo bien, ¡gracias!
2021-12-23 03:52
Muy bien. Recibido a tiempo
2021-02-06 23:42
Recibido perfectamente. Soldar una unidad en su placa de circuito impreso correspondiente funcionando perfectamente para reemplazar una unidad defectuosa en una placa Arduino Nano.
France
