WAB300M12BM3
Active - 1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
Descripción:
1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
WAB300M12BM3 Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Active
Tecnología
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuración
Silicon Carbide (SiC)
Característica de FET
1200V (1.2kV)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
382A (Tc)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
5.2mOhm @ 300A, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.6V @ 92mA
Vgs(th) (máx) a Id
908nC @ 15V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
24500pF @ 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Chassis Mount
Paquete / Caja (carcasa)
Module
Paquete del dispositivo del proveedor
-
WAB300M12BM3 Inventario: 46920
5.0 / 5.0
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido
2021-06-10 07:32
Recu en 89 días, tira, para probar
France
