EAB450M12XM3
Active - 450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
Descripción:
450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
EAB450M12XM3 Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Active
Tecnología
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuración
Silicon Carbide (SiC)
Característica de FET
1200V (1.2kV)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
450A (Tc)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
3.7mOhm @ 450A, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.6V @ 132mA
Vgs(th) (máx) a Id
1330nC @ 15V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38000pF @ 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
50mW
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Chassis Mount
Paquete / Caja (carcasa)
-
Paquete del dispositivo del proveedor
-
EAB450M12XM3 Inventario: 27350
5.0 / 5.0
2021-08-02 07:24
¡La marca de fieltro en el empaque no es muy legible (confusión posible)! Sin eso, ¡conforme! ¡Gracias vendedor!
2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
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