E4D20120D
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247-3
Descripción:
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247-3
E4D20120D Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Serie
E-Series, Automotive
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
1200 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
33A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.8 V @ 10 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
200 μA @ 1200 V
Capacitancia según Vr, F
712pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
E4D20120D Inventario: 32300
5.0 / 5.0
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido
2021-06-10 07:32
Recu en 89 días, tira, para probar
2021-07-20 19:26
Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable
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