C6D08065G
Active - DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2
Descripción:
DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2
C6D08065G Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
30A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.4 V @ 8 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
20 μA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F
518pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-2
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
C6D08065G Inventario: 35340
5.0 / 5.0
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido
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