HS3JB
Active - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
HS3JB Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado del producto
Active
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
3A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.7 V @ 3 A
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
75 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
10 μA @ 600 V
Capacitancia según Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
DO-214AA, SMB
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃
HS3JB Inventario: 8160
5.0 / 5.0
2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
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