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K4RHE086VB-BCWM

Active Icon Active - IC DRAM DDR5 24 Gb 5600 Mbps
K4RHE086VB-BCWM
K4RHE086VB-BCWM
Samsung Semiconductor
Fabricante:
Pieza Mfr #
Categoría:
Ficha de datos:
Descripción:
IC DRAM DDR5 24 Gb 5600 Mbps
 
3D Model Icon

K4RHE086VB-BCWM Especificación

Atributos del producto
Valor del atributo
Categoría
Serie
-
Embalaje
Tray
Estado del producto
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de la memoria
DRAM
Tecnología
DDR5
del programa
24 Gb
Organización de la memoria
2G x 8
Interfaz de memoria
Parallel
Frecuencia de reloj
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
-
Voltaje de la fuente
1.1 V
Temperatura de funcionamiento
0 ~ 85 ℃
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
82 FBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
82 FBGA

K4RHE086VB-BCWM Inventario: 33500

Precio histórico
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Tânia Maria
Location Icon Brazil
5 stars
2021-07-09 20:10
Todavía no audicionó, pero muy rápido
Author Icon
Léonie Caron
Location Icon France
5 stars
2021-08-02 07:24
¡La marca de fieltro en el empaque no es muy legible (confusión posible)! Sin eso, ¡conforme! ¡Gracias vendedor!
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado

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