2SK1058-E

Active - MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Descripción:
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
2SK1058-E Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
160 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
600 pF @ 10 V
Disipación de potencia (Máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 Full Pack
2SK1058-E Descripción
El Renesas Electronics 2SK1058-E es un transistor de efecto de campo (FET) de tipo N, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos. Este dispositivo es conocido por su alta eficiencia, bajo nivel de ruido y capacidad para manejar altas corrientes, lo que lo convierte en una opción popular en diversas aplicaciones de potencia y señal. A continuación, se presenta una descripción detallada de sus características y especificaciones.
### Descripción General
Renesas Electronics es un líder en el diseño y fabricación de semiconductores, y el 2SK1058-E es un componente clave en su línea de transistores de potencia. Este FET es ideal para aplicaciones que requieren un control preciso de la corriente y la tensión, como fuentes de alimentación, controladores de motor y amplificadores de RF.
### Especificaciones Técnicas
1. Tipo de Transistor:
- Transistor de efecto de campo (FET) de tipo N, que permite un control eficiente de la corriente a través de la aplicación de una tensión en la puerta.
2. Tensión de Drenaje-Fuente (V_DS):
- Tensión máxima de drenaje a fuente: 60 V, lo que permite su uso en aplicaciones de alta tensión.
3. Corriente de Drenaje (I_D):
- Corriente máxima de drenaje: 15 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren el manejo de corrientes significativas.
4. Resistencia de Drenaje a Fuente (R_DS(on)):
- Resistencia en estado de encendido: típicamente 0.1 Ω, lo que contribuye a una baja pérdida de potencia y alta eficiencia en la conmutación.
5. Tensión de Puerta (V_GS):
- Tensión máxima de puerta a fuente: ±20 V, lo que permite un control seguro y efectivo del transistor.
6. Frecuencia de Conmutación:
- Capaz de operar a frecuencias de conmutación de hasta 100 kHz, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación rápida.
7. Temperatura de Operación:
- Rango de temperatura de operación: -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en entornos extremos y aplicaciones industriales.
8. Paquete:
- Disponible en un paquete TO-220, que facilita la disipación de calor y la integración en diseños de circuitos.
9. Aislamiento Térmico:
- Diseñado para proporcionar un buen aislamiento térmico, lo que es crucial para mantener la estabilidad del dispositivo durante su operación.
### Aplicaciones
El 2SK1058-E es ideal para una variedad de aplicaciones, tales como:
- Fuentes de Alimentación Conmutadas: Utilizado en fuentes de alimentación para mejorar la eficiencia y el rendimiento.
- Controladores de Motor: Empleado en circuitos de control de motores, donde se requiere un manejo preciso de la corriente.
- Amplificadores de RF: Utilizado en aplicaciones de amplificación de radiofrecuencia, donde se necesita un bajo nivel de ruido y alta linealidad.
- Conmutación de Carga: Adecuado para aplicaciones de conmutación de carga en sistemas de automatización y control.
### Conclusión
El Renesas Electronics 2SK1058-E es un transistor FET de alta potencia que combina un rendimiento excepcional con un diseño robusto y eficiente. Su capacidad para manejar altas corrientes y tensiones, junto con su baja resistencia en estado de encendido, lo convierten en una opción ideal para aplicaciones en el campo de la electrónica de potencia y señal. Con su fiabilidad y versatilidad, el 2SK1058-E es una solución confiable para ingenieros y diseñadores que buscan optimizar sus sistemas electrónicos.
2SK1058-E Inventario: 44200
5.0 / 5.0

2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros

2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.

2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado

2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.

2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.