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2SK1058-E

Active Icon Active - MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
2SK1058-E
2SK1058-E
Renesas Electronics
Fabricante:
Pieza Mfr #
Ficha de datos:
Descripción:
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
 
3D Model Icon

2SK1058-E Especificación

Atributos del producto
Valor del atributo
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
160 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (máx) a Id
-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Vgs (máx.)
?5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
600 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 Full Pack

2SK1058-E Descripción

El Renesas Electronics 2SK1058-E es un transistor de efecto de campo (FET) de tipo N, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos. Este dispositivo es conocido por su alta eficiencia, bajo nivel de ruido y capacidad para manejar altas corrientes, lo que lo convierte en una opción popular en diversas aplicaciones de potencia y señal. A continuación, se presenta una descripción detallada de sus características y especificaciones.

### Descripción General

Renesas Electronics es un líder en el diseño y fabricación de semiconductores, y el 2SK1058-E es un componente clave en su línea de transistores de potencia. Este FET es ideal para aplicaciones que requieren un control preciso de la corriente y la tensión, como fuentes de alimentación, controladores de motor y amplificadores de RF.

### Especificaciones Técnicas

1. Tipo de Transistor:
- Transistor de efecto de campo (FET) de tipo N, que permite un control eficiente de la corriente a través de la aplicación de una tensión en la puerta.

2. Tensión de Drenaje-Fuente (V_DS):
- Tensión máxima de drenaje a fuente: 60 V, lo que permite su uso en aplicaciones de alta tensión.

3. Corriente de Drenaje (I_D):
- Corriente máxima de drenaje: 15 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren el manejo de corrientes significativas.

4. Resistencia de Drenaje a Fuente (R_DS(on)):
- Resistencia en estado de encendido: típicamente 0.1 Ω, lo que contribuye a una baja pérdida de potencia y alta eficiencia en la conmutación.

5. Tensión de Puerta (V_GS):
- Tensión máxima de puerta a fuente: ±20 V, lo que permite un control seguro y efectivo del transistor.

6. Frecuencia de Conmutación:
- Capaz de operar a frecuencias de conmutación de hasta 100 kHz, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación rápida.

7. Temperatura de Operación:
- Rango de temperatura de operación: -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en entornos extremos y aplicaciones industriales.

8. Paquete:
- Disponible en un paquete TO-220, que facilita la disipación de calor y la integración en diseños de circuitos.

9. Aislamiento Térmico:
- Diseñado para proporcionar un buen aislamiento térmico, lo que es crucial para mantener la estabilidad del dispositivo durante su operación.

### Aplicaciones

El 2SK1058-E es ideal para una variedad de aplicaciones, tales como:

- Fuentes de Alimentación Conmutadas: Utilizado en fuentes de alimentación para mejorar la eficiencia y el rendimiento.
- Controladores de Motor: Empleado en circuitos de control de motores, donde se requiere un manejo preciso de la corriente.
- Amplificadores de RF: Utilizado en aplicaciones de amplificación de radiofrecuencia, donde se necesita un bajo nivel de ruido y alta linealidad.
- Conmutación de Carga: Adecuado para aplicaciones de conmutación de carga en sistemas de automatización y control.

### Conclusión

El Renesas Electronics 2SK1058-E es un transistor FET de alta potencia que combina un rendimiento excepcional con un diseño robusto y eficiente. Su capacidad para manejar altas corrientes y tensiones, junto con su baja resistencia en estado de encendido, lo convierten en una opción ideal para aplicaciones en el campo de la electrónica de potencia y señal. Con su fiabilidad y versatilidad, el 2SK1058-E es una solución confiable para ingenieros y diseñadores que buscan optimizar sus sistemas electrónicos.

2SK1058-E Inventario: 44200

Precio histórico
Active
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.

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