MA2C16600E
Obsolete - DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34-A1
Descripción:
DIODE GEN PURP 50V 100MA DO34-A1
MA2C16600E Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Obsolete
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
50 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
100mA
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.2 V @ 100 mA
Velocidad
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inversa (trr)
4 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
5 μA @ 50 V
Capacitancia según Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
DO-204AG, DO-34, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor
DO34-A1
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
200 ℃ (Max)
MA2C16600E Inventario: 7360
5.0 / 5.0
2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
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