1N5811US
Active - DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
Descripción:
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
1N5811US Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Estado del producto
Active
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
150 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
3A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
875 mV @ 4 A
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
30 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
5 μA @ 50 V
Capacitancia según Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
SQ-MELF, B
Paquete del dispositivo del proveedor
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N5811US Inventario: 34420
5.0 / 5.0
2021-07-20 19:26
Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable
2021-11-23 06:50
Todo bien, ¡gracias!
2021-12-23 03:52
Muy bien. Recibido a tiempo
2021-02-06 23:42
Recibido perfectamente. Soldar una unidad en su placa de circuito impreso correspondiente funcionando perfectamente para reemplazar una unidad defectuosa en una placa Arduino Nano.
2021-08-24 17:38
Gran precio, enviado hiper rápido tarda 8 días en llegar, llegó a través de la entrega postal regular y el servicio de mensajería bancaria, vendedor 100% confiable. 1er pedido que viene bien de este vendedor, excelente y combinado con otros artículos.
Mexico
