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MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2

Active Icon Active - IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP
MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2
MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2
Kaga FEI America
Fabricante:
Pieza Mfr #
Categoría:
Ficha de datos:
Descripción:
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP
 
3D Model Icon

MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 Especificación

Atributos del producto
Valor del atributo
Categoría
Fabricante
Serie
Automotive, AEC-Q100
Embalaje
Tube
Estado del producto
Active
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de la memoria
FRAM
Tecnología
FRAM (Ferroelectric RAM)
del programa
2Mbit
Organización de la memoria
256K x 8
Interfaz de memoria
SPI
Frecuencia de reloj
50 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
-
Tiempo de acceso
-
Voltaje de la fuente
1.8V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOP

MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 Descripción

El MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 es un dispositivo de memoria FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) fabricado por Kaga FEI America, que combina las ventajas de la memoria RAM y la memoria no volátil. Este tipo de memoria es ideal para aplicaciones que requieren un almacenamiento rápido y confiable de datos, así como una alta resistencia a la escritura y un bajo consumo de energía.

### Descripción General

El MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 es un chip de memoria FRAM de 2 megabits (256 kilobytes) que ofrece una solución de almacenamiento no volátil con características de alta velocidad. A diferencia de las memorias flash tradicionales, la FRAM permite un acceso aleatorio rápido y una gran cantidad de ciclos de escritura, lo que la convierte en una opción atractiva para aplicaciones que requieren un alto rendimiento y durabilidad.

### Especificaciones Técnicas

1. Capacidad de Memoria:
- Capacidad: 2 Megabits (256 Kbits).
- Organización: 32 K x 8 bits.

2. Voltaje de Alimentación:
- Rango de voltaje de operación: 2.7V a 3.6V, lo que permite su uso en aplicaciones de bajo consumo.

3. Tiempo de Acceso:
- Tiempo de acceso de lectura: 50 ns (nanosegundos), lo que permite un acceso rápido a los datos.
- Tiempo de escritura: 50 ns (nanosegundos), lo que proporciona una escritura eficiente.

4. Ciclos de Escritura:
- Ciclos de escritura: Hasta 10^10 ciclos, lo que supera significativamente a las memorias flash tradicionales.

5. Interfaz:
- Interfaz de comunicación: SPI (Serial Peripheral Interface), que permite una fácil integración con microcontroladores y otros dispositivos.

6. Consumo de Energía:
- Consumo en modo activo: Aproximadamente 10 mA.
- Consumo en modo de espera: Menos de 1 µA, lo que es ideal para aplicaciones que requieren un bajo consumo de energía.

7. Temperatura de Operación:
- Rango de temperatura: -40 °C a +85 °C, lo que permite su uso en entornos exigentes.

8. Paquete:
- Disponible en un paquete SOP (Small Outline Package), que facilita la integración en diseños compactos.

### Aplicaciones

El MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 es adecuado para una amplia gama de aplicaciones, tales como:

- Sistemas embebidos que requieren almacenamiento de datos no volátil.
- Dispositivos de medición y monitoreo.
- Equipos médicos y de diagnóstico.
- Sistemas de control industrial.
- Aplicaciones de IoT (Internet de las Cosas) que requieren un almacenamiento rápido y confiable.

### Ventajas

- Alta Durabilidad: Con un número de ciclos de escritura significativamente mayor que las memorias flash, la FRAM es ideal para aplicaciones que requieren un alto número de escrituras.
- Bajo Consumo de Energía: Su diseño eficiente permite un bajo consumo, lo que es crucial para dispositivos portátiles y aplicaciones de larga duración.
- Acceso Rápido: Los tiempos de acceso rápidos permiten un rendimiento superior en aplicaciones que requieren respuestas rápidas.
- No Volátil: La FRAM retiene los datos incluso sin alimentación, lo que la hace adecuada para el almacenamiento de información crítica.

### Conclusión

El Kaga FEI America MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 es una solución de memoria FRAM altamente eficiente y confiable, ideal para aplicaciones que requieren un almacenamiento rápido y duradero. Con su amplia gama de características y capacidades, este dispositivo es una excelente opción para ingenieros y desarrolladores que buscan integrar memoria no volátil en sus proyectos electrónicos.

MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 Inventario: 32900

Precio histórico
$7.55000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Recibido perfectamente. Soldar una unidad en su placa de circuito impreso correspondiente funcionando perfectamente para reemplazar una unidad defectuosa en una placa Arduino Nano.
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Adriana Beatriz
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5 stars
2021-08-24 17:38
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2021-08-04 23:28
2 semanas para la entrega. Las virutas funcionan bien
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Manuel Alejandro
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5 stars
2021-04-24 13:43
Todo muy bien recomendado 100%
Author Icon
Paul Roy
Location Icon France
5 stars
2021-11-04 06:37
Corresponde a mi uso

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