Categorías
Novedades
Control de calidad
Comentarios
Hogar  /  Semiconductores Discretos  /  Transistores - FET, MOSFET - RF FET, MOSFET  /  Infineon Technologies BG5120KE6327

BG5120KE6327

Active Icon Active - N-CHANNEL POWER MOSFET
BG5120KE6327
BG5120KE6327
Infineon Technologies
Fabricante:
Pieza Mfr #
Ficha de datos:
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
 
3D Model Icon

BG5120KE6327 Especificación

Atributos del producto
Valor del atributo
Serie
Automotive, AEC-Q101
Embalaje
Bulk
Estado del producto
Active
Tecnología
2 N-Channel (Dual)
Configuración
-
Frecuencia
30dB
Ganancia
5 V
Voltaje - Prueba
10μA
Corriente nominal (Amperios)
1.1dB @ 800MHz
Coeficiente de ruido
10 mA
Corriente - Prueba
-
Potencia - Salida
8 V
Voltaje nominal
-
Tipo de montaje
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor
-

BG5120KE6327 Inventario: 26150

Precio histórico
$0.08000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Manuel Alejandro
Location Icon Mexico
5 stars
2021-04-24 13:43
Todo muy bien recomendado 100%
Author Icon
Paul Roy
Location Icon France
5 stars
2021-11-04 06:37
Corresponde a mi uso
Author Icon
Laura Cristina
Location Icon Spain
5 stars
2021-07-11 09:01
Probado, funciona como se esperaba.
Author Icon
Beatriz Elena
Location Icon Mexico
5 stars
2021-06-29 06:15
Ya yegaron solo necesita probar
Author Icon
Halina Jankowska
Location Icon Poland
5 stars
2021-12-09 23:36
Envío rápido, OK

BG5120KE6327 Piezas relacionadas

BG5120KE6327
BG5412KE6327HTSA1
BG5412KH6327XTSA1
BG5120KE6327HTSA1
BG5120KH6327XTSA1
Solicitud de presupuesto
Número de pieza *
Fabricante
Contacto *
Correo electrónico *
Cantidad de la consulta *
País de entrega *