EPC2203
Active - GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Descripción:
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
EPC2203 Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Serie
Automotive, AEC-Q101, eGaN
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado del producto
Active
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
1.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 600μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.83 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
88 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
Paquete / Caja (carcasa)
Die
EPC2203 Inventario: 28900
5.0 / 5.0
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido
2021-06-10 07:32
Recu en 89 días, tira, para probar
2021-07-20 19:26
Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable
Finland
