EPC2103
Active - GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
Descripción:
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2103 Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado del producto
Active
Tecnología
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuración
GaNFET (Gallium Nitride)
Característica de FET
80V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
28A
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
5.5mOhm @ 20A, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.5V @ 7mA
Vgs(th) (máx) a Id
6.5nC @ 5V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
760pF @ 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
Die
Paquete del dispositivo del proveedor
-
EPC2103 Inventario: 3400
5.0 / 5.0
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
2021-11-12 10:55
Muy buen producto, llegó bien protegido
2021-06-10 07:32
Recu en 89 días, tira, para probar
2021-07-20 19:26
Excelente rendimiento. Pude reparar mi faro sin problemas. Muy recomendable
Finland
