EPC2036
Active - GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Descripción:
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2036 Especificación
Atributos del producto
Valor del atributo
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado del producto
Active
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
1.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 600μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.91 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
90 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
Paquete / Caja (carcasa)
Die
EPC2036 Inventario: 6350
5.0 / 5.0
2021-08-12 12:06
Los transistores IGBT no detectados SA para testerach al lado de plus t7-h, en tescie para przelaczanie with-12V para E más zarowka alimentado 12V para C activado dedo con Plus, zalancza with-wylancza. Muy rápido wysylka, entrega rápida, producto bueno jakosci, muy nosotros
2021-12-31 23:06
Buen producto y funciona correctamente.
2021-07-09 02:45
Bien recibido, aún no probado
2021-12-03 00:22
Pido 10 piezas. Ahora pruebe tres chips y dos fueron ID 0x441, que es STM32F412, no STM32F407. Estoy muy decepcionado.
2021-12-27 06:22
Los productos están muy satisfechos, el vendedor Muchas gracias.
Poland
